自旋电子学是一门新兴学科,它研究的是电子自旋自由度的操控。量子阱材料是一种新型的人造材料,它得益于现代薄膜生长技术而制成。这种材料的周期性可以进行人为的调控,因此具有许多优于自然界中天然材料的特殊性质,具有潜在的应用价值,因而成为材料科学、半导体科学及量子信息学中热门研究领域。腔量子电动力学是研究物质与受限的量子化电磁场相互作用的学科。它从最简单的J-C模型哈密顿量出发,预言了真空Rabi劈裂等量子现象。最近有人通过腔量子电动力学的方法研究了量子阱系统中的电子的人工操控,并取得了一系列研究成果。在本论文中,我们利用腔量子电动力学的方法研究含有自旋轨道耦合的系统中自旋的调控。第一章中,我们简单回顾了自旋电子学和腔量子电动力学的基本理论和研究进展,并用量子光学模型描述量子阱中的自旋轨道耦合系统。第二章给出了马尔科夫近似下量子光学主方程的推导。第三章是本论文的核心,我们利用主方程讨论了带有自旋轨道耦合的量子阱中电子的操控。得到了强驱动条件下体系的透射谱,并分析了驱动强度、自旋轨道耦合强度以及耗散强度对透射谱的影响。