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稀磁半导体是指磁性过渡金属或稀土金属离子部分取代化合物半导体(通常为AB型)阳离子,从而形成三元或四元的化合物。由于微量的磁性原子的引入,改变了原有的半导体的微观机制,因此使稀磁半导体在磁学、电学、光学等方面具有极其独特的性质,因此在自旋电子器件与透明电子器件领域显示出广阔的潜在应用。然而,多数稀磁半导体的p型掺杂难以实现,会阻碍高居里温度稀磁性的获得。本论文以p型铜铁矿结构的CuCrO_2为基质,通过3d过渡金属Fe、Mn离子的掺杂,实现了较高温度的稀磁性;通过改变掺杂离子的种类、浓度及替代位置,