石墨烯是一种由碳原子组成的蜂窝状的二维晶体材料,由于优异的物理化学性能,使得石墨烯成为了 21世纪最有前景的新材料之一。自从通过化学气相沉积法在铜箔上成功制备出了石墨烯后,对于石墨烯的研究也进入了一个新的台阶,而且化学气相沉积法(CVD)也以其低成本高效益的特征而被广泛应用,成为了制备石墨烯的一种重要制备方法。本论文中,采用化学气相沉积法为制备方法,在铜箔基底表面制备石墨烯,同时探究了铜基底、氢气流量、甲烷流量以及压力大小对制备石墨烯产生的影响并在后续的实验过程中加以优化,制备出了较为独特的石墨烯形貌,而且对所制备出的石墨烯进行了仪器表征(扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼、原子力显微镜),分析了石墨烯的层数、缺陷、质量等。本论文涉及了常压和低压两种不同的状态:1)在常压实验中,对实验参数加以优化后制备出了 U形石墨烯形貌,并通过相关的仪器表征对石墨烯进行了检测与分析,后续通过实验参数的调整相继制备出了其它形貌的石墨烯,并发现了氢气流量的改变会影响石墨烯形貌的改变;2)在低压实验中,实验通过优化氢气流量制备出了不同的石墨烯形貌,发现了氢气流量对石墨烯的作用,同时实验也通过改变压力的大小制备出了大面积的石墨烯,发现压力大小的改变能够影响石墨烯的成核生长。通过对石墨烯形貌的研究有助于理解石墨烯的成核机理,同时也对石墨烯的性能研究有着一定的意义。