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基于畴壁设计的自旋电子学器件主要利用了电子的自旋属性,随着自旋转移矩效应（Spin-transfer Torque,STT）的发现,使人们从此摆脱了电子学器件对磁场的依赖。基于STT效应的电子学器件普遍具有尺寸较小,易集成,功耗较低和速度较快等诸多优点,所以STT效应被广泛的用来研究和开发磁性随机存储器、赛道存储器、微波振荡器等各类自旋电子学器件。相对于面内磁化纳米结构而言垂直磁化纳米结构由于其畴壁自旋结构简单、畴壁宽度较窄、阈值电流较小等优势,近年来得到了研究者的广泛关注。鉴于此,本论文通过微磁学模拟的方法主要研究垂直磁化纳米结构中的畴壁振荡动力学特性,得出的具体研究结果如下:（1）首先研究了垂直磁化刻痕纳米线中的畴壁振荡动力学特性,振荡电流随刻痕深度增加先减小后增大,矩形对称刻痕在h=12 nm时,圆弧形和三角形刻痕在h=18 nm时达到最小的振荡电流;去钉扎电流随刻痕深度增加而逐渐变大;振荡频率随着电流的增大呈现线性增加且基本与刻痕类型无关,频率随电流的增大会出现稳定的平台区域,矩形刻痕h=12 nm时,三角和圆弧刻痕在h=18 nm时达到稳定的平台区域;振荡振幅随电流增加而减小,振幅的大小与刻痕类型存在一定的关系:相同电流下三角形对称刻痕振幅最大,圆弧刻痕次之,矩形刻痕振幅最小;频率和振幅主要可以通过电流、刻痕深度、材料参数、对称和不对称性刻痕类型等方面进行相应调控。（2）多刻痕纳米线中的畴壁振荡动力学特性,畴壁磁化后的稳定极性状态可通过刻痕间距和部分刻痕深度来调控;振荡电流和去钉扎电流与单个对称矩形刻痕相比差别不大;电压信号V可通过刻痕间距S、刻痕数目和电流驱动下磁场辅助等方面得到有效的提高。（3）垂直-面内磁化混合纳米线中的畴壁振荡动力学特性,畴壁的运动速度与电流几乎成线性增长关系;畴壁起始振荡调节与阻尼因子系数α、非绝热项系数β、垂直各向异性常数KPMA、界面交换常数A12以及饱和磁化强度MsPMA和MsIMA存在一定关系;振荡频率和振幅可通过电流驱动、电流驱动下磁场辅助以及相关材料参数KPMA、α、β等方面进行调控。