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随着深亚微米技术的快速发展以及人们对数据存储需求的不断增大,存储器的重要性也日趋显现,这主要表现在嵌入式存储器在SoC设计中所占的比重越来越大,应用也越来越多。然而,由于存储器往往深嵌于SoC芯片内部,与其直接相连的芯片管脚少之又少,这样就大大增加了对嵌入式存储器的观察及测试难度;并且随着工艺技术的提高以及工艺尺寸的缩小,SoC芯片上的存储器密度也变得越来越大,其所出现的故障类型也越来越多。这样就大大增加了测试成本,使得原始的测试方法难以应对这些新的挑战。本文将要研究的嵌入式存储器内建自测试技术是一种针对于嵌入式存储器的观察及测试的行之有效的技术。嵌入式存储器内建自测试技术(MBIST)主要是在被测存储器周围加上BIST电路,BIST电路能够直接产生测试数据,将测试数据加入待测单元中,并将实际从存储器读出的数据与期望值进行比对,从而达到在芯片内部检测存储器的目的。嵌入式存储器内建自测试技术凭着其成本低,操作简单以及覆盖率高等一系列优点成为目前主流的存储器测试技术。本文围绕Tessent MBIST主要做了以下几方面的工作:1)介绍了可测性设计以及存储器的基本知识。可测性设计主要包括了边界扫描(JTAG),扫描技术(SCAN)和存储器内建自测试技术(MBIST)。其中MBIST是专为存储器做的设计。详细研究了MBIST的基本原理以及存储器及存储器的故障模型。2)研究了Tessent MBIST的工作流程以及其优化方向。Parallel flow是基于设计模式来说的,将Tessent MBIST应用在parallel flow上能够有效减少设计时间,提高验证效率。3)设计了基于SRAM和ROM为待测存储器,以HAMMER算法和READONLY算法为测试算法的MBIST电路。本文对MBIST电路的各个部分进行了模块化的设计,并且详细说明了各个模块的功能。4)搭建基于目标存储器的验证平台,实现了目标存储器的测试电路的验证与仿真。主要包含了SRAM的验证,ROM的验证以及多算法测试的验证。同时根据波形图对测试算法的执行过程进行详细分析。仿真结果表明Tessent MBIST能够进行多算法与多存储器的测试,能达到预期效果。