热释电红外探测器是一种可在室温下使用，光谱响应宽和工作频率宽的高可靠性的探测器，在电子防盗、人体探测器领域中具有重要的应用。对于传统的热释电探测器，热释电材料的性能和探测器的结构对其性能有关键的影响。本论文正是针对上述问题，围绕PZT热释电厚膜红外线列探测器，开展了厚膜材料制备与器件微细加工工艺研究。主要内容为：1.在厚膜的制备工艺方面，实验研究了电泳沉积方法制备PZT热释电厚膜。通过对PZT原料粉料的振动球磨、电泳沉积、冷等静压以及烧结工艺等实验研究，优化了厚膜的制备工艺，实现厚膜在750℃的低温烧结。2.采用直流磁控溅射法在Si基片上制备了致密的TiO_x阻挡层。结果表明，当TiO_x阻挡层为500nm时，可阻挡Pb和Si互扩散，热释电性能最好。热释电系数、相对介电常数、损耗角正切和探测度优值因子分别为p=1.5×10^-8Ccm^-2·K^-1，　ε_r=170，tanθ=0.0²，Fd=1.05×10^-5Pa^-0.5。3.采用AZ9260光刻胶作为隔离层环状设置于衬底的凹槽边缘。结果表明，当隔离层厚度为7μm时，不仅能有效引出上电极，阻挡电极导通，提高成品率，而且能保护厚膜材料和金属电极的质量，获得较好的热释电系数p=1.05×10^-8Ccm^-2·K^-1。4.利用半导体微细加工工艺制备了PZT热释电厚膜探测器。为了获得表面形貌较好的正面硅杯凹槽，实验采用了四甲基氢氧化铵（TMAH）腐蚀溶液进行湿法腐蚀；为了获得探测器的悬空热绝缘结构，提高器件制备的重复性和成品率，实验采用了先湿法腐蚀后干法刻蚀的工艺。实验结果表明，当斩波器频率为5.3Hz时，探测器电压响应率约为2.17×10²V·W-1；在频率为122.3Hz时，探测率达到9.0×107cmHz^1/2·W^-1。