论文部分内容阅读
近年来，铁电薄膜已经成为新型功能材料和微器件研究领域的热点。使用铁电薄膜代替普通场效应晶体管中的栅介质层而制成的铁电效应晶体管(FeFET)因其非挥发性存储、非破坏性读出、高读写速度和低静态功耗等优势成为最有潜力的下一代新型存储器件之一。我们知道，铁电薄膜的性能极容易受到应变、退极化场和空间电荷分布等因素的影响。然而，FeFET器件结构决定了FeFET中的铁电薄膜会存在较大的应变和退极化场，以及不均匀的空间电荷分布。因此，开展应变、退极化和空间电荷对FeFET电学性能影响的研究显得非常必要，这有助于