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论文工作来源于国家重点项目“硅基应变超高速集成器件及相关基础研究”，是学科研究的前沿。自二十世纪九十年代中后期以来，大量研究表明，合理引入应变可显著改善器件性能，硅基应变新技术开始成为二十一世纪微电子发展的一项主流技术。本论文的目的是研究准确表征硅基应变材料的有效方法，实现材料质量和性能的科学测量与表征。论文以传统的硅材料表征技术为基础，结合硅基应变材料的特点，系统研究了硅基应变材料的应变度、弛豫度、锗组分及分布、晶格常数、厚度、表面粗糙度、缺陷行为等材料特性的表征方法与技术，并