【摘 要】
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具有电子多样性的过渡金属二硫化物（TMDs）异质结是纳米电子和光电子器件科学和技术领域的研究热点。尽管关于二维TMDs异质结的研究很多,获得很多优异的研究成果,但实验和理论研究中主要关注的对象是单一横向或者纵向异质结材料的合成、性质和应用探索,关于二维杂化异质结材料的性质及其调控缺乏详细的理论研究。本论文通过基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算,系统地研究了（WS2-MoS2）/WS2杂化异
【基金项目】
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国家自然科学基金（第 11574044 号项目）； 教育部紫外发光材料与技术重点实验室（开放项目第 130028608 号）； 吉林省科技厅（第 20150520088JH 号项目）；
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具有电子多样性的过渡金属二硫化物（TMDs）异质结是纳米电子和光电子器件科学和技术领域的研究热点。尽管关于二维TMDs异质结的研究很多,获得很多优异的研究成果,但实验和理论研究中主要关注的对象是单一横向或者纵向异质结材料的合成、性质和应用探索,关于二维杂化异质结材料的性质及其调控缺乏详细的理论研究。本论文通过基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算,系统地研究了（WS2-MoS2）/WS2杂化异质结的静电势分布、能带排列、光催化机制以及应变调控对电子性质的影响。论文的主要研究结果如下:1)静电势分析表明,（WS2-MoS2）/WS2杂化异质结中,MoS2区域的静电势较高,WS2区域静电势较低,表明存在一个由WS2区域指向MoS2区域的横向内建电场。界面静电势分析表明存在一个由WS2-MoS2层到WS2层的垂直内建电场。2)能带排列分析表明（WS2-MoS2）/WS2杂化异质结的带边是交错的,光生电子聚集在顶层WS2-MoS2的MoS2区域,光生空穴聚集在WS2底层。（WS2-MoS2）/WS2杂化异质结可作为区域选择性光催化剂。3)应变调控表明（WS2-MoS2）/WS2杂化异质结交错带边是不受应变影响的,但是杂化异质结的带隙可以通过施加应变来调节,随着拉伸应变的增加,（WS2-MoS2）/WS2杂化异质结带隙逐渐减小,带隙减小归因于金属原子d轨道向低能级的移动。
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