在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层能够减小衬底材料与外延材料之间的晶格失配,从而提高LED内量子效率,而且图形化蓝宝石衬底能够有效散射来自LED多量子阱的发射光,提高LED的光萃取率。因此,图形化蓝宝石衬底技术能够显著提高LED亮度。　　 普通的蓝宝石衬底经过光刻和刻蚀两道工艺处理,就能够制成图形化蓝宝石衬底。使用光刻工艺在平坦的蓝宝石衬底上制作圆柱形光刻胶阵列。通过研究,得到一套稳定的光刻工艺参数。制作的圆柱形光刻胶的直径为1μm,高度为3μm,间距为1μm。　　 制作图形化蓝宝石衬底的关键是刻蚀,图形化蓝宝石衬底刻蚀系统是制作高亮度LED的关键设备。本文着重介绍高亮度LED图形化蓝宝石衬底刻蚀系统的机械部分、功能组件及控制系统。该系统对经过光刻工艺处理的蓝宝石衬底进行刻蚀,在衬底上制作图形,每批能够刻蚀22片。其最大的优点在于刻蚀速率大于70nm/min的基础上保证一定的刻蚀均匀性。