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近年来，由于溢油等海洋探测应用的需求，迫切需要一种响应波段>365nm的紫外探测器，而这超出了AlGaN紫外探测器的波长范围。因此，寻找新的Ⅲ-Ⅴ族化合物材料迫在眉睫。InGaN的带宽范围为0.7eV（InN）到3.4eV（GaN），其对应的吸收光谱的波长从紫外部分（365nm）可以一直延伸到近红外部分（1770nm）,几乎完整覆盖了整个太阳光谱。可以通过改变In组分来调整InxGa1-xN材料的带宽，实现对不同波长光的检测。而且InGaN具有吸收系数高、机械强度高、导热性好、抗辐射能力强等优点。利用MOCVD方法在蓝宝石（0001）衬底上生长的GaN/In0.09Ga0.91N外延层成功地制备了各种结构的紫外探测器，进行了刻蚀、钝化、退火等单项工艺的优化，测试了各种结构器件的电学与光学性能，并进行了分析，为今后研究InGaN紫外焦平面探测器奠定了基础。针对p电极欧姆接触，介绍了金-半接触理论、薄膜材料的传输线模型及异质结二维电子气理论，分别从退火工艺、表面处理、电极结构设计三方面进行p型材料欧姆接触特性的研究与分析：由于i层为InGaN材料,p电极的最佳退火温度为550℃/5min；经过KOH溶液表面处理后的样品，欧姆接触性能大大提高；包裹电极可以有效改善材料接触特性，而且性能受退火条件影响很大。从制备InGaN紫外探测器的要求出发，对产生器件漏电流的工艺以及优化措施进行了研究。主要从不同刻蚀功率、不同钝化材料、湿法化学腐蚀处理等方面展开，并采用I-V特性曲线和响应光谱进行了分析。研究表明：ICP干法刻蚀的刻蚀功率越大对器件侧面损伤越小，用KOH溶液湿法处理侧面以及生长二氧化硅钝化层可以减少侧面漏电流。介绍了InGaN p-i-n紫外探测器的研制过程，并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长的InGaN/GaN外延材料，通过刻蚀、钝化、欧姆接触电极等工艺，制备了正照射单元In0.09Ga0.91N紫外探测芯片。并对该芯片进行了I-V特性、响应光谱等测试，得到芯片的暗电流Id为3.70310-13A、零偏压电阻R0为4.5331010Ω。该紫外探测器在360nm～390nm的波长范围内有较高的响应度，峰值响应率在378nm波长处达到0.22A/W，在考虑表面反射时，内量子效率达到88%；优质因子R0A为1.33108Ω2cm2,对应的探测率D*=1.9731013cm﹒Hz1/2﹒W-1。完成了长线列器件光刻版图的设计。总结了一套制备长线列器件的工艺流程,制备了80038元的背照射InGaN紫外探测芯片。设计了InGaN肖特基器件结构，在i层InGaN上生长一层很薄的透明电极。通过工艺流程的不断改善，成功制备了InGaN肖特基器件，并测试得到器件的I-V和C-V特性。通过对肖特基器件的I-V曲线拟合，计算得到InGaN肖特基器件的有效势垒高度为0.63eV，理想因子为3.4。比较有无光照条件下的肖特基器件的C-V曲线，分析了出现感应效应和峰值电容的原因。