边界层陶瓷电容器（Grain Boundary Barrier Layer Capacitor）是半导体陶瓷电容器中的最重要的一种，具有很高的表观介电常数。BaTiO₃作为一种强介电材料，被誉为“电子工业的支柱”，其中有90％以上是用于电容器方面。但是对于边界层陶瓷电容器的显微结构和相关的介电机理还不太清楚。本论文介绍了一种制作BaTiO₃基边界层陶瓷电容器的新工艺。 本文采用液相包覆技术制备了包覆有CuO的BaTiO₃复合粉体，并且加入适当的掺杂物（如B₂O₃、MnO₂、C₂／O₃）来改善样品的性能。采用XRD，EDS，SEM，和DSC-TG等技术研究包覆粉体和烧结样品的性能。测量了样品的介电和阻抗特性，并对其致密性、介电性能进行了相关的讨论和分析。 研究发现，首先采用非匀相沉淀法（Heterogeneous Precipitation Method）制备包覆有CuO的BaTiO₃粉体，先驱体Cu（OH）₂的分解温度为300℃，CuO在BaTiO₃的边界近似呈球形均匀分布，形成良好得“芯—壳”状结构。样品在特定的温度达到最大烧成密度，B₂O₃在高温下可以形成液相促进烧结，但是使得烧成范围减小。MnO₂也能起到一定的促烧作用，在含量为0.5％wt时样品的性能最佳。当MnO₂含量不太高的时候，可以进入晶格使，使其发生相应的畸变，从而促使晶粒长大。 样品的介电性能较BaTiO₃得以明显的提高，CuO作为一种低共熔物不仅可以提高样品的致密性，而且由于Cu²⁺的半径为0.073nm，与Ti⁴⁺的半径为0.061nm比较接近，可能受主取代Ti⁴⁺，产生大量的氧空位，在晶界处偏聚，空间电荷程度增加，极化作用增强，从而使得样品的介电性能大大改善。B₂O₃、MnO₂可以在一定程度上促进晶粒长大，有利于介电常数提高，含有B₂O₃和MgO（0.5％wt）的样品的最大介电常数超过7.3×10⁴，介质损耗也明显降低。 Cr₂O₃和MnO₂可以兼起“施主”和“受主”的作用，在很多地方有相似之处，它们的加入可以改善直流偏压的稳定性和介电常数的温度稳定性，被称为“稳定性”元素。在n型半导体中由于Cr³⁺的半径（0.062nm）与Ti得半径0.061nm非常接近，很有可能受主取代Ti⁴⁺，可动电子数目减少，介质损耗和介电常数降 摘要低;但是过量的Cr会偏聚在晶界处，甚至形成一层氧化物层，降低样品的电绝缘性能，使得介质损耗增加。 介温（K一T）谱曲线中，随着频率的增加（0 .IKHZ一IMHz）峰值向着高温区移动，同时双峰现象消失，高频下介质损耗的变化不大;在相变点T。附近，介电常数具有最大值，相应的介质损耗却最小。 综上所述，通过液相包覆技术可以得到结构良好的“芯一壳”状的复合粉体，有利提高样品的致密性和介电性能;采用低温烧成技术可以明显降低烧结温度，实现中低温烧结;与传统材料相比介电常数高并且随着温度的变化关系较小。