光电子材料具有广阔的市场，成为近年来研究的焦点。ZnO/Si异质结能产生强的光伏效应，因此ZnO有望作为一种新的光电转换材料。同时ZnO材料制备工艺简单，性能稳定，在成本上有显著优势，因此ZnO在探测器领域具有巨大的应用前景。本文在Si衬底上沉积ZnO薄膜，制备n-ZnO/p-Si异质结光电二极管，研究器件的光电转换特性。ZnO薄膜用脉冲激光沉积方法(PLD)制备，利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)表征薄膜的结构形貌。二极管的光电性质通过测量样品的电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)曲线反映。研究表明，光电二极管的性能不仅受薄膜质量的影响，还与异质结的质量相关。较高温度下生长和退火处理的ZnO薄膜，虽然薄膜质量最好，但由于高温的热扩散，光电效应并不明显。生长在ZnO同质缓冲层上的样品比直接在Si上生长ZnO薄膜制备的样品性能好。反应室中充入氧气可以补充ZnO沉积过程中缺失的氧，但氧压太过会改变ZnO的能带结构，不利于异质结的光电性能。当用不同波长的光照射器件时，可见光可以穿过ZnO层，在p-Si一边的耗尽区产生电子-空穴对形成光电流，当反向电压增大到一定值时，光电流增大的速度变小。紫外光子在n-ZnO一侧耗尽层产生电子-空穴对，光电流随反向偏压有逐渐增大的趋势。利用宽带隙半导体ZnO的紫外响应特性和窄带隙半导体Si在可见—近红外的响应特性，有望研制出n-ZnO/p-Si异质结UV增强型光电探测器。