纳米科技是一项诞生于20世纪80年代末期,并正在崛起的新兴科技,其基本含义是在纳米尺度内进行材料的设计与组装。由于材料尺寸纳米化,因而纳米结构材料具有了一系列奇异的物理、化学性质。在不同类型的纳米材料中,一维纳米线,纳米棒,纳米管等相对更为重要,这些材料对基础研究和应用研究具有重要而深远的意义,其中二氧化锡的研究起步最早,因而也就成了使用最为广泛的半导体材料。这种纳米棒的研究与制备有助于加深对一维半导体材料以及一维磁性纳米材料基本物理问题的理解,也有助于一维纳米材料的开发及应用。本论文采用化学气相沉积法制备准一维纳米结构的SnO₂。首先通过在950℃温度条件下进行活性炭以及纯SnO₂的还原反应,利用气固生长机制,在镀金的Si衬底上制备出SnO₂纳米棒、纳米线,同时还进行ZnO的掺杂实验;接着对两者的形貌进行比较,并分析纳米棒的生长机制,通过扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、电子衍射（SAED）、能谱仪（EDS）和拉曼光谱分别对样品的形貌、结构、成份及拉曼光谱进行表征,发现所得的纳米SnO₂为金红石结构,且存有氧的缺陷。并用兰姆理论合理解释了拉曼峰的产生。