半导体产品直径的不断变大,一方面对外延工艺的均匀性很高,而且对于过渡区的要求也越来越高,通过改进现有的扩展电阻仪器的测量方法,可以提高测试仪器的准确度和稳定度,从而可以得到比较真实的,可靠的数据。本文主要论述了扩展电阻技术的测量方法以及外延工艺的优化,借此提高产品的市场竞争力。本文详细论述了扩展电阻技术的测量方法,通过改进探针状态,增加校验样片和校验片的频次以及校验片过渡区的测量,得出扩展电阻技术测试的准确度可以达到99%。基于该扩展电阻技术,优化了外延工艺,以8寸肖特基产品为例(厚度为10.5um,电阻率为1.64 Ω cm,过渡区宽度要求为2um)。采用传统工艺,外延片的中心和边缘区域过渡区的宽度不满足2um,采用二步外延法后,即加了 0.4um的纯度之后,中心和边缘区域过渡区的宽度仍然不满足2um。通过优化背封方法以及二步外延方法的工艺,中心和边缘区域的过渡区满足了 2um的要求,但是边缘区域因为自掺杂严重不能满足要求。边缘区域的过渡区比中心区域的过渡区更缓,进一步优化边缘背封去边的方法和高温烘烤的方法,不仅使中心区域和边缘区域的过渡区满足要求,而且使中心和边缘区域的过渡区相同。测试结果表明,扩展电阻技术的测试准确度可以达到99%。通过优化工艺,8寸肖特基产品用外延片的的过渡区实现了均匀的2um,满足了指标要求。