半导体光放大器的频率响应特性研究

来源 :中国科学院半导体研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mail1631987
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半导体光放大器(SOA)由于具有体积小、成本低、可集成度好、增益光谱宽等优点,被广泛应用于光通信系统和网络中。针对SOA的设计工艺、特性分析和应用研究一直受到人们的广泛关注。SOA的频率响应特性会对信号传输质量产生影响,是SOA的重要特性之一。本论文的主要工作就针对SOA频率响应特性的测试和分析展开。   测试光电子器件频率响应特性的测试系统通常由矢量网络分析仪、激光器、光调制器和光探测器组成,因而测得的散射参数包含了光调制器和光探测器的频率响应引入的误差。本文从光电子器件散射参数的定义出发,提出了获取SOA自身频率响应的扣除法,能够准确获得SOA在不同偏置电流、不同注入光功率下的频率响应。实验结果表明,行波腔SOA(TWA)的频率响应在高频部分平坦,但在约2GHz以下的低频部分出现较陡的下陷,且该特性随偏置电流、注入光功率的不同而变化。   为分析TWA的频率响应特性,本文基于行波方程理论,建立了TWA的多段式模型,导出了TWA频率响应的半解析表达式。模型的待定参数通过与实测的静态增益相拟合得到。该模型能够模拟出TWA的频率响应特性,并能够对频率响应曲线表现出的若干特征进行分析。   光电子器件由于通常工作在大信号状态下,因此为获取其高频特性,除了小信号频率响应特性测试还需要进行大信号测试。高速光电子器件的大信号测试系统的校准一直是一个复杂而困难的问题。本文提出了一种校准测试系统中信号源内阻抗的方法,能够由校准件的散射参数和示波器测得的波形获得信号源内阻抗。仿真和实验结果表明该方法正确可行;为减小校准方法的系统误差,校准件的选择应满足一定的准则。
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