科学技术的迅速发展,使得各种低维半导体材料,如量子阱、量子线、量子点等都已经在实验室制备出来。由于在低维结构中载流子的运动在空间受到封闭性限制,从而使其有着与三维体材料不同的物理内涵和丰富的光学现象及效应。这些低维结构在未来的各种半导体光电和微电子量子器件的设计和制造中具有十分重要的价值,因此,人们迫切地需要了解这类体系的电子、声子等各方面的物理特性。拉曼散射,由于其具测量方便、快捷、对样品无损伤等优点,已经成为研究低维半导体结构的最有效手段之一。通过对散射带频移、线宽、散射强度和偏振等的研究,拉曼散射已成为精确地获取低维半导体结构中电子和声子等微观信息的强有力工具。本文从理论上研究了低维半导体量子点的拉曼散射,全文由以下四章组成。第一章,绪论。介绍了拉曼散射的基本理论:讨论了半导体量子点结构的特性及发展;简述拉曼散射在低维材料的研究进展。第二章,主要研究了无限深球型量子点中的电子拉曼散射。采用有效质量近似和量子力学二阶微扰理论,推导了电子拉曼散射微分散射截面的表达式,给出了散射过程的选择定则,选用GaAs和CdS材料进行数值计算,获得了一系列相关拉曼散射光谱,结果显示散射截面随着量子点尺寸的变化而改变,给出电子和空穴对拉曼散射微分散射截面的不同贡献。第三章,研究了在半抛物量子点中激子参与的拉曼散射。采用有效质量近似,运用量子力学二阶微扰理论推导出了拉曼散射微分散射截面,进一步计算了GaAs/AlGaAs量子点的拉曼散射微分散射截面。最后通过数值计算结果发现激子对拉曼散射具有较大影响。第四章,总结全文主要计算结果及研究结论,作出展望。