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近年来,由于有机半导体的制作成本低、延展性好、大面积覆盖以及轻便等优点在电子和光电材料领域起到了重要作用。许多p-型有机半导体可以与非晶硅相媲美,尤其是某些p-型半导体的载流子迁移率都达到了10cm2·V-1·s-1以上。但是,n-型有机半导体的载流子迁移率却很低,寻求高性能n-型有机半导体是当前有机电子学的难题之一。本论文以几类噻吩与富含氮杂环的有机半导体材料分子为研究对象,在预测晶体结构的基础上,对有机半导体候选分子的载流子迁移率进行理论研究；探讨分子结构、晶体结构和电子结构与载流子迁移率等性质