通过适量掺杂的SnO₂基、ZnO基透明导电薄膜具有优异的光电性能,能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中用作透明导电电极。课题研究主要探索了Sol-Gel法制备SnO₂、ZnO基透明导电薄膜中Sb³⁺、F-、Al³⁺的掺杂方式和掺杂比对薄膜导电率和透光率的影响。本文采用具有无害对离子的SnC₂O₄为原料,从中性溶胶中制备出了Sb³⁺、F-掺杂的SnO₂低表面电阻薄膜;讨论了SnC₂O₄在羧酸-碱试剂中的溶解络合机理和掺杂对表面电阻的影响规律;研究了pH值对SnC₂O₄在羧酸-碱试剂体系中溶解络合的影响;溶胶浓度、Sb³⁺、F-掺杂浓度、膜厚、热处理温度对SnO₂基薄膜的表面形貌、透光率和表面电阻的影响;以醋酸锌为前驱体制备了ZnO:Al:F薄膜;研究了AlF3掺杂浓度、膜厚、热处理气氛对ZnO:Al:F薄膜的表面形貌、透光率和表面电阻的影响。采用IR、Raman、FESEM、XRD、XPS、FETEM、UV-VIS、四探针测试仪表征了溶胶的形成以及薄膜的相组成、结晶形貌、透光率和表面电阻。提出了碱试剂在SnC₂O₄溶胶工艺中具有破坏SnC₂O₄结构和激活络合剂的双重作用;三氟乙酸（TFA）络合Sn²⁺提高F元素在热处理过程中的稳定性;通过AlF3双掺杂提高ZnO薄膜的载流子浓度和迁移率以提高电学性能。结果表明:SnC₂O₄在羧酸-碱试剂体系中溶解络合具有普遍性,羧酸起络合作用,碱试剂具有破坏SnC₂O₄结构和促进羧酸电离的双重作用,pH值显著影响SnC₂O₄的溶解性,6.4⁷.0为合适的pH值范围。本工艺条件制备的薄膜均由10nm以下SnO₂纳米颗粒组成。450°C～500°C热处理,膜厚为750nm的6at%Sb掺杂SnO₂薄膜具有最低的表面电阻30Ω/□,透光率>80%,过高的Sb掺杂会形成Sb₂O₄而提高表面电阻。450°C热处理,30at%三氟乙酸（TFA）掺杂,膜厚为1000nm的SnO₂薄膜最低表面电阻为130Ω/□,透光率>80%。三氟乙酸（TFA）与Sn²⁺键合稳定存在于络合结构中,热处理时挥发过程温和,减小了成膜工艺中的应力,能够在高掺杂浓度下制备厚膜试样。H2气氛热处理降低了ZnO:Al:F薄膜表面电阻,1at% AlF3掺杂0.6M的Zn溶胶制备的薄膜在空气气氛下晶粒取向生长,电阻率很高,氢气中300°C以上处理的薄膜表面电阻降低到25Ω/□。薄膜表面呈致密结构,晶粒大小均匀。