Cu2ZnSn(S1-x,Sex)4薄膜的制备与性能研究

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【摘要】

：

近些年来,以铜铟镓硒(CIGS)为代表的薄膜太阳能电池发展迅速,虽然CIGS已经实现了超过20%的转换效率,但是由于铟和镓储量稀少,限制了该薄膜电池的发展。Cu2ZnSn(S1-x,Sex)4(0≤x≤1)是一种具有类似CIGS结构的直接带隙p型半导体材料,禁带宽度可调(1.0-1.6eV),十分接近半导体太阳电池所要求的最佳禁带宽度(1.5eV),其吸收系数可达104cm-1,并且所含组分储量丰

【作者】

：

曹磊

【机构】

：

青岛科技大学

【发表日期】

：

2015年04期

【关键词】

：

Cu2ZnSn(S1-x Sex)4 薄膜 SILAR 水热法醇热法硫化硒化

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