近年来,随着5G移动通信、微波毫米波通信、空间探测通信、人工智能、移动终端等新兴技术的兴起,市场对电子元器件也提出了更多新的要求,尤其是器件的小型化、高频化、集成化、高性能化和多功能化。实现这些需求,电子材料是这一切的根基和关键。基于铁氧体制备的电子元器件具备效率高、性能高、体积小、成本低等特点,担当着当今部分电子元件制备的重要角色。其中Ni Cu Zn铁氧体具备高磁导率、高电阻率、高饱和磁化强度,以及窄的铁磁共振线宽等优点,是极为重要的铁氧体材料。另一方面,便携式电子时代的来临带动着铁氧体器件朝着更小、更轻、更集成和更高性能方向发展,低温共烧陶瓷（LTCC）技术能够很好地实现器件的小型化和集成化。然而,与LTCC技术相符的低温烧结铁氧体要求Ni Cu Zn铁氧体的烧结温度低于960 ^oC（与银电极共烧）,则随之而来会产生晶粒生长不充分、致密化差、多孔隙等问题,从而恶化器件性能。同时,在实现材料的多样化的基础上,探索微波段低温烧Ni Cu Zn铁氧体优异的旋磁性能,都是尚未攻克的难点问题,并对扩展Ni Cu Zn铁氧体更广泛的应用有着重大意义。本文研究宽频段的低温烧Ni Cu Zn铁氧体,包括改进射频域的软磁性能和探索微波段的旋磁性能。采用金属阳离子取代、低熔点氧化物复合掺杂、不同的烧结工艺对低温烧结Ni Cu Zn铁氧体的微结构、软磁性能、旋磁性能进行调控和优化。尤其针对当前5G技术对高频电子元器件新要求的背景下,进一步探索了Ni Cu Zn铁氧体在微波段的旋磁性能,分析影响其铁磁共振线宽变化的关键因素和内在机制,并基于此仿真设计制作了X波段移相器来验证材料。首先,系统地研究了Bi³⁺离子取代对低温烧Ni Cu Zn铁氧体微结构、介电性能、磁性能的影响。在预烧阶段加入Bi₂O₃来降低Ni Cu Zn铁氧体活化能,成功地降低了烧结温度。结果表明:900 ^oC烧结下,当x=0.025时,得到了均匀致密的Ni Cu Zn铁氧体,且样品的初始磁导率为29.1（@1 MHz）,介电常数为17.8,截止频率为200 MHz,阻抗匹配系数Z=1.28,磁损耗tan?_μ=8.53×10^-3以及介电损耗为tan?_ε=1.22×10^-4。然后,进一步探究了Bi³⁺离子取代下Ni Cu Zn铁氧体的旋磁性能。研究发现:在925 ^oC烧结下,当Bi₂O₃的取代量为0.05时,4πM_s=3760 Gauss,ΔH=248Oe,说明该铁氧体可以很好地应用于微波段移相器。其次,采用磁性离子进一步优化低温烧Ni Cu Zn铁氧体的高频磁性能,提出了Mn³⁺离子取代Ni Cu Zn铁氧体来调控低温烧结下样品的微结构和性能。研究表明:Mn³⁺离子取代Ni Cu Zn降低其饱和磁化强度。880 ^oC烧结下,当Mn₂O₃添加量为0.25时,初始磁导率为219,截止频率高达58 MHz。此外,900 ^oC烧结时,Ni Cu Zn铁氧体还具备优良的旋磁性能:H_c为141 Oe,剩磁比为0.792,4πM_s为3872 Gauss,铁磁共振线宽ΔH为161 Oe。然后,在探索复合掺杂来调控Ni Cu Zn铁氧体的宽频段磁性能方面,研究了Mn O₂-Bi₂O₃复合掺杂对低温烧Ni Cu Zn铁氧体的影响。在该复合掺杂共同作用下,实现了Ni Cu Zn铁氧体低温烧结下晶粒的致密性和均匀性。研究表明:（1）925 ^oC烧结下,当0.5 wt.%Mn O₂-1.5 wt.%Bi₂O₃复合掺杂时,样品的软磁特性最优为:磁导率为291,品质因数为75,B_s为290,截止频率为18 MHz。（2）950 ^oC烧结下,当0.5 wt.%Mn O₂-1.0 wt.%Bi₂O₃复合掺杂时,样品的旋磁特性最优为:4πM_s=3812.23 Gauss,H_c=84.93 Oe和ΔH=144.6 Oe。另外,设计了优化的瞬态烧结方法,深入探索了细小晶粒的Ni Cu Zn铁氧体的铁磁共振线宽值。最终,制备了平均晶粒仅为0.64μm,4πM_s为3904 Gauss和ΔH为170 Oe的Ni Cu Zn铁氧体。再者,针对Bi₂O₃-Nb₂O₅复合掺杂的Ni Cu Zn铁氧体,在选取定量的Bi₂O₃来促进低温烧结Ni Cu Zn铁氧体的晶粒生长前提下,通过调控Nb₂O₅的含量来优化较大晶粒的Ni Cu Zn铁氧体的微结构和磁性能。结果表明:900 ^oC烧结下,当掺杂1.0 wt.%Bi₂O₃-0.4 wt.%Nb₂O₅时,Ni Cu Zn铁氧体饱和磁化强度从42.68 emu/g增加至54.39 emu/g,初始磁导率高达410。此外,当掺杂1.0 wt.%Bi₂O₃-0.2 wt.%Nb₂O₅时,样品还具备优异的旋磁性能:4πM_s=3506 Gauss,ΔH=162.63 Oe。进一步地,在优化的复合掺杂基础上改变样品的烧结温度和时间,研究了样品低温烧结下的晶粒生长带来微结构的变化与铁磁共振线宽的关系。最后,选取925 ^oC烧结下,0.5 wt.%Mn O₂-1.5 wt.%Bi₂O₃复合掺杂的Ni Cu Zn铁氧体为基体材料,设计仿真了片式电感器件。同时,选取950 ^oC烧结下,0.5 wt.%Mn O₂-1.0 wt.%Bi₂O₃复合掺杂的Ni Cu Zn铁氧体块材进行切割和抛光,作为X波段移相器的基片。将在HFSS仿真好的微带线移相器电路光刻至基板上,并在搭建的测试平台下完成微带线移相器测试。测试结果表明:在中心频率9.55 GHz时,移相器的相移量达到252°,S₂₁为-2.49 d B,S₁₁为-19.31 d B。表明了低温烧Ni Cu Zn铁氧体能够很好地应用于微波器件。