应用于连续波雷达频率源的0.1~3GHz低功耗4/5双模分频器设计

来源 :东南大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wudingyong2009
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
锁相环频率综合器是连续波汽车雷达的重要组成部分,特别是近年来汽车雷达传感器的应用越来越广泛,其重要程度也与日俱增。双模分频器作为锁相环工作中必不可少的一个模块,不仅要承接来自上级电路的高频信号,还要为后续电路提供稳定可靠的交流信号,有着承上启下的重要作用。因此,对双模分频器的研究、分析与设计,具有较大的学术价值和工程应用价值。
  本论文旨在研究并设计基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的0.1~3GHz 4/5双模分频器。该双模分频器由三个基本的D触发器组成,各个触发器的输出信号通过组合逻辑门进行布尔运算,运算的结果成为下一级电路的输入信号。其中,D触发器采用真单相时钟(TSPC)的结构,相较于电流模逻辑(CML)或其他类型的触发器结构,TSPC触发器有较宽的工作带宽和极低的静态功耗,比较适合该场景下的双模分频器设计。为提高输入灵敏度,在输入端级联了一条反相器链;为增强输出驱动能力,在输出端的缓冲级采用大尺寸晶体管;为进一步降低延迟,将组合逻辑门的晶体管嵌入到TSPC触发器中。论文介绍了电路的拓扑结构、前仿真结果、版图设计、后仿真结果和流片测试结果。测试结果显示,在1.2V的工作电压下,4/5双模分频器分频范围为0.1~3.1GHz,输入灵敏度可以达到-3.8dBm,工作电流小于1.5mA。芯片尺寸是685μm*575μm,面积约为0.4mm2。
  该4/5双模分频器具有较高的工作频率和较宽的工作带宽,其核心电路的静态功耗接近于0,目前已成功应用于连续波雷达锁相环,并且也可应用在其他锁相环系统中,具有较广阔的应用前景。
其他文献
LED产业发展迅猛,在照明领域,科学家们不断开拓出新的发光材料,研发出更高光效的LED已成为共同的追求。荧光粉作为主流LED的重要组成成分,其光学性能对LED的各项指标具有重要影响。作为稀土资源大国的中国,对稀土资源在发光材料方面的深入探究有十分重要的意义。稀土离子掺杂的钼酸盐结构稳定、能够有效地对紫外波段的光进行吸收,这些优点拓宽了稀土发光材料的选择范围,也进一步促进了稀土发光材料在照明、显示、
随着半导体理论的发展和材料生长工艺的不断进步,以GaN/GaAlN为主的Ⅲ族氮化物半导体材料凭借暗电流小、量子效率高、物理化学性质稳定以及响应光波长在一定范围内可调等优点,已经在紫外光探测、环境监测、导弹告警、火灾监控等领域被广泛应用。GaN半导体材料具有宽带隙、高热导率、高击穿电压等特点,被誉为第三代半导体材料,是Ⅲ族氮化物材料中应用最为广泛的光电阴极材料。GaAlN光电阴极可以通过调节Al元素
学位
钙钛矿材料具有制备工艺简单、成本低廉、原料丰富、吸光能力好、载流子迁移率高、光电转换效率高等优点。随着研究者们对钙钛矿材料的深入研究,发现钙钛矿材料在发光二极管、光电探测器、激光器等其他光电器件的应用上同样具有出色表现,具有非常广阔的应用前景。在钙钛矿材料的生产制备过程中,难免会形成各种晶体缺陷,尤其是本征点缺陷。我们也可以通过实验手段,有目的性地制造缺陷,如表面缺陷。缺陷的存在会改变晶体结构,对
低维氮化镓(GaN)材料因其高电子迁移率、宽带隙和优异的光电性能在制备下一代高性能光电子器件是极具潜力的。形成低维氮化镓基异质结是实现其在光电器件应用的重要前提,不仅能够发挥不同材料性质上的优势,更重要的是能够对材料中的电子态形成限制,有助于器件性能的提升。然而,传统的异质外延方法因为晶格失配使得其界面容易形成大量的失配缺陷,从而影响了氮化镓器件的整体性能。本文通过基于密度泛函理论(DFT)的第一
学位
二维过渡金属硫族化合物由于具有高稳定性、原子层厚度、较强的光-物质相互作用以及可调谐的光电特性成为发展纳米电子和光电子器件的重要候选材料之一。实现二维过渡金属硫族化合物材料大面积、高质量的制备是改善其光电性质和器件性能的关键问题。化学气相沉积(CVD)被认为是最有潜力达到这一目标的方法。但受制于成核密度和生长源浓度的不可控,常规CVD方法制备的二维过渡金属硫族化合物仍存在晶粒尺寸小、缺陷密度较高和
超磁致伸缩材料作为一种新型材料,根据其磁致伸缩效应而设计的传感器越来越受到研究人员的重视,本文针对超磁致伸缩材料在磁场测量方面的特点,将磁致伸缩材料与悬臂梁结构结合起来,并研究其测量磁场的性能。  本文针对镀有超磁致伸缩薄膜的悬臂梁(以下简称镀膜悬臂梁)在磁场下的静挠曲与谐振频率进行了理论分析与推导,推导出其静挠曲、谐振频率与磁场强度、磁致伸缩系数的关系公式。并得出镀膜悬臂梁静挠曲工作模式与谐振工
新型平板显示技术是当今显示领域的热门研究方向,硅基微显示技术便是其中的一种,它以单晶硅为基底,能有效地减少普通平板显示器的空间占有率、提高响应速度、同时增加显示设备的使用寿命。其体积大概为普通平板显示器的1/10,是一种理想的便捷式后端显示设备,在军事、民用和消费类电子产业中应用广泛。  在电路高度集成化的今天,对微型显示器的研究具有极高的商业价值,我国对硅基微显示研的究也属于上升阶段,但目前硅基
在过去的几十年里,人们对硅基场效应管进行深入研究,并将其应用到如手机电脑等很多电子科技产品中。在科技发展迅猛的当今,无机场效应管已经不能满足很多领域地使用。此时,有机场效应管以其低成本、兼容柔性衬底、大面积生产等独特的优势,在很多场景被应用。传统水平沟道有机场效应管由于沟道长度的限制,工作电流不能达到较高的水平,限制了其在很多场景中的应用。为得到较大工作电流器件,本文以有机层做载流子传输层,使用真
随着信息产业的发展,显示器件在材料与设计工艺等核心技术上取得了巨大的突破。其中,基于薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)技术的显示器件随着TFT技术和相关材料性能的提高,器件性能不断向着高分辨率、高动态范围(High Dynamic Range,HDR)、大色域和高刷新率方向高速发展。从视觉设计层面来看,柔性显示初期阶段的曲面显示技术已经商用化,并且向趋于成熟的真正柔性
学位
随着无线通信技术的迅猛发展,毫米波集成电路的应用越来越广泛。如今调频连续波(FMCW, Frequency Modulation Continuous Wave)雷达已经在各个领域得到越来越广泛的应用。77GHz汽车避撞雷达是当前毫米波集成电路的研究热点。频率综合器在FMCW雷达系统中提供稳定的本振信号,是不可或缺的重要组成部分。而鉴频鉴相器(PFD, Phase Frequency Detect