【摘 要】
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该论文系统地研究了掺杂离子对PWO晶体闪烁性能的影响,讨论了掺杂晶体组成、结构和性能等方面的关系.采用Czochralski和Bridgman方法生长了掺杂PWO晶体.Raman光谱证实生长的
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该论文系统地研究了掺杂离子对PWO晶体闪烁性能的影响,讨论了掺杂晶体组成、结构和性能等方面的关系.采用Czochralski和Bridgman方法生长了掺杂PWO晶体.Raman光谱证实生长的各种PWO晶体为体心四方结构.掺杂离子对晶体吸收边位置和420nm处吸收产生了影响.X射线激发发光谱显示K、Na、Mg、Sb、Bi、Mo掺杂晶体绿发光成份增加:La、Y、Gd、Tb掺杂晶体蓝发光成份增加、绿发光成份减弱.和X射线激发发光谱相对应K、Na、Mg、Sb、Bi、Mo掺杂晶体发光衰减时间延长,La、Y、Gd、Tb掺杂晶体发光衰减时间缩短.Mo系双掺晶体的发光衰减时间和抗辐照损伤能力与末掺杂PWO晶体相近的情况下,光产额提高1倍,这对扩大PWO晶体的使用范围具有实际意义.
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