SiC材料由于具有大的禁带宽度,高的电子饱和速度,高的临界击穿电场以及高的热导率等性能,在高温,抗辐照,高功率等工作条件下具有明显的优势,成为近年来半导体领域研究的热点,并且在交通,通信,能源和国防领域中有广阔的应用前景。但是目前,SiC MESFET的优势还没有充分发挥,主要原因之一是存在于SiC MESFET表面的陷阱引起电流的不稳定性。为了解决或者削弱表面陷阱对器件性能的影响,学者们提出了多种器件结构,诸如埋栅、埋沟和埋栅-埋沟等结构,其中以埋栅-埋沟结构取得电学性能最佳。埋栅-埋沟4H-SiC MESFET新型结构器件是在传统的4H-SiC MESFET器件结构上利用工艺手段在其导电沟道上部加入一层n-buffer层,并将栅极底部埋入该n-buffer层中。它可以减少本来存在于MESFET器件沟道内部由表面陷阱所引起的耗尽层所带来的影响。为了充分挖掘这种结构所带来的优良性能,我们利用ISE软件建立了埋栅-埋沟4H-SiC MESFET模型,对埋栅-埋沟4H-SiC MESFET进行结构优化。首先假设埋栅深度为0μm,对不同n-buffer层厚度埋栅-埋沟4H-SiC MESFET的直流特性进行模拟,分析得出了最佳的n-buffer层厚度,并且基于最佳的n-buffer层厚度,对不同埋栅深度的埋栅-埋沟4H-SiC MESFET的直流特性,交流特性进行模拟,通过分析和对比,得出了最佳的埋栅深度。