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晶格匹配InAlN/GaN高电子迁移率晶体管的反向电学特性研究

来源 :江南大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：asiware

【作 者】

：

吴静 

【出 处】

：

江南大学

【发表日期】

：

2021年01期

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