1995年，日本科学家A.Ikesue制备出高质量的Nd：YAG透明陶瓷，并成功实现了Nd：YAG透明陶瓷的激光输出。透明陶瓷由于具备优异的综合性能而备受研究人员的关注，各国研究人员对透明陶瓷的制备和性能进行了广泛的研究。在目前报道的YAG透明陶瓷的制备工艺中，纳米粉体的真空烧结工艺具有明显的优势，其中纳米粉体的制备是采用化学沉淀法进行的。　　 本文针对化学沉淀法制备YAG纳米粉体的工艺进行研究。首先对文献中报道的共沉淀工艺(正滴共沉淀工艺和反滴共沉淀工艺)进行初步的尝试和分析。通过初步的研究发现：钇离子沉淀和铝离子沉淀的适宜制备条件存在差异，对于钇离子沉淀来讲，适宜采用正滴沉淀法在较低的沉淀剂浓度条件下制备，而对于铝离子沉淀来讲，适宜采用反滴沉淀法在较高的沉淀剂浓度条件下制备。常用的共沉淀工艺不能同时满足钇离子和铝离子的适宜沉淀条件，因此尝试采用分别沉淀两种金属离子，然后采用某种方法将两种沉淀前驱体混合的方法制备YAG粉体。　　 球磨法混合沉淀前驱体制备YAG粉体是其中一种尝试的方法，采用该方法制得的前驱体经1350℃煅烧可制得YAG粉体，YAG粉体的颗粒尺寸为200 nm左右，YAG粉体经烧结后得到的YAG透明陶瓷在可见光区域的透过率为50%-60%。另一种尝试的方法为混合沉淀法工艺。在混合沉淀法工艺中根据离子沉淀顺序的不同，可细分为两种不同的混合沉淀法，混合沉淀法YA和混合沉淀法AY。通过比较发现：混合沉淀法AY具备一定的优势，最先制得的铝离子沉淀在后续的工艺过程中较为稳定，前驱体经过相对较低的温度(≤1200℃)煅烧即可转变为YAG相。对混合沉淀法AY工艺进行了细致的研究，通过工艺参数的比较选择确定了较适合YAG粉体制备的工艺参数组合。所确定的工艺参数组合为：采用反滴沉淀法以1.5 mol/L的碳酸氢铵溶液沉淀铝离子，后采用正滴沉淀法以0.5 mol/L的碳酸氢铵溶液沉淀钇离子。所制得的YAG前驱体经1200℃煅烧即可转化为YAG粉体，制得的粉体的粒径为200 nm-500 nm，未使用烧结助剂的条件下，烧结后制得的YAG陶瓷在可见光范围的透过率为60%左右。　　 同时，在对YAG粉体制备的研究中发现：沉淀剂的浓度对制得的前驱体转化为YAG粉体的相变过程有较大的影响。在钇铝两种金属离子的沉淀过程中，尤其是在沉淀钇离子的过程中，采用较高的沉淀剂浓度不利于前驱体向YAG相的转变。前驱体中YAG相的生成过程实质上为氧化铝和氧化钇之间的固相反应过程，该反应的进行是以铝离子扩散进入氧化钇颗粒发生的，因此氧化钇颗粒的尺寸决定了扩散路径的长短，也就决定了固相反应进行的难易程度。当沉淀剂浓度较高时，所得到的氧化钇颗粒的尺寸较大，这大大增加了铝离子的扩散路径，因而前驱体较难转变为YAG相。