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从位错运动的应力功和应变能关系导出了附着在基体上并有钝化层的金属多晶膜的屈服强度公式.该式表明：多晶膜的屈服强度由两个影响因子（晶粒取向和位错类型）和三个强化因子（钝化层强化、基体强化和晶粒强化）确定.和已报导的实验结果基本一致,初步证明了该公式的正确性.采用X-射线衍射和热循环基片弯曲两种测量方法.对薄膜（特别是柱状晶薄膜）中的正常晶粒生长理论进行了简单分析,指出薄膜中的晶粒生长除象整体材料一样应当考虑晶界能外,还应当同时考虑（自由）表面能、膜-基界面能和应变能.根据自由表面在晶界处开槽现象,从理论上分析了薄膜中正常晶粒生长的"膜厚效应".