化学镀镍/置换镀钯/置换镀金（ENIPIG）工艺是利用置换镀钯的方法在PCB板的表面镍层与金层之间引入一层稳定的钯金属层的表面镀覆工艺,ENIPIG主要是以置换镀钯的方法来取代传统的化学镀钯。置换镀钯不仅能保持化学镀钯的优点:针对化学镀镍与浸金工艺中的“黑盘”缺陷现象,阻止镍层与金层界面中金属化合物的产生,从根本上消除“黑盘”现象,而且置换镀钯的方法更易于控制钯层的厚度及表面均匀度,降低生产成本,所得钯层致密,抗拉力性能强。ENIPIG的具体实验过程是:先化学镀镍,再用置换镀钯的方法沉积钯,在2min内所沉积的钯的厚度为0.03μm-0.05μm,最后置换镀金。本论文从如下三方面进行研究:1.通过研究得到了以氨和柠檬酸作为钯络合剂的置换镀钯液较优配方体系:0.8g/L Pd,48-56m L/L NH_3?H₂O（m/m27%）,6g/L柠檬酸,60-100 g/L复合调节剂A,0.05 m L/L光亮剂B。工艺条件为:p H=5.0±0.2,镀钯时间2min,温度40℃。镀液p H易控制,镀液寿命长达5MTO且稳定性好。（1）探讨了置换镀钯液中Pd离子浓度对钯沉积厚度的影响,结果表明:Pd离子浓度小于0.8g/L时,随着钯离子浓度的增加钯层厚度增大;大于0.8g/L时,厚度基本不变。（2）探讨了络合剂氨的浓度对钯沉积厚度的影响,结果表明:当氨的浓度低时,钯的沉积厚度薄;当氨的浓度高时,溶液中游离的Pd²⁺浓度太小不利于诱发Pd的自催化沉积反应,钯层厚度也较小。（3）.探讨了复合调节剂A,柠檬酸对Pd的沉积厚度的影响。结果表明:复合调节剂A浓度60-100g/L,柠檬酸浓度6g/L条件下的镀钯液,不但能保证快速镀钯,镀层均匀且得到的镀钯溶液稳定性好。（4）探讨了p H、施镀时间、施镀温度对钯的沉积速率的影响。p H在4-6,钯沉积速率较稳定;钯的沉积速率随着时间的增加而降低,在前2min内,反应速率较快;适宜的温度,对提高钯层的性能及反应速率都非常重要。温度过高,钯堆积速率过快,钯层不均匀。温度过低,钯沉积速率慢,难以提高生产效益。2.针对上述镀钯层进行了SEM、EDS,打金线及回流焊锡可焊性测试。SEM结果表明:置换镀钯层表面均匀,致密无裂缝;EDS定量检测了镀层中Pd元素质量百分比,表明钯层能从根本上防止PCB的“黑盘”;打金线测试表明:引入置换镀钯层后打金线性能及抗拉力性能良好;回流镀锡测试表明:置换镀钯层优异的耐腐蚀性及焊接性能。3.利用紫外分光光度法测定了Pd与柠檬酸配合物的稳定常数,K_稳=3.186×10⁵;利用PHREEQC软件模拟计算置换镀钯液体系中络合剂NH₃、柠檬酸、Cl^-等与Pd（Ⅱ）配合物各种形体的分布情况,从理论上探究溶液中游离Pd²⁺离子的浓度C_Pd2+随柠檬酸、NH_3?H₂O及p H的浓度变化趋势。计算结果表明:溶液中的Pd（Ⅱ）主要以[Pd（NH₃）₄]²⁺的形式存在。