射频磁控溅射法制备PZT薄膜工艺与结构性能研究

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【摘要】

：

近年来,铁电薄膜材料的制备、结构、性能和应用已经成为国际上新型材料研究的一个热点。铁电薄膜材料的铁电性质及其在存储器方面的应用,尤其是在非挥发性铁电存储器(FRAM)中的应用,也受到越来越多的关注。锆钛酸铅(Pb(ZrxTi1-x)O3,PZT)薄膜材料是目前最重要的FRAM用铁电材料之一。本论文针对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜的制备工艺、退火工艺、微结构以及铁电性能进行了系统的研究。

【作者】

：

杨帆

【机构】

：

电子科技大学

【发表日期】

：

2009年04期

【关键词】

：

PZT薄膜射频磁控溅射快速热处理(RTP) 电滞回线漏电流

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