设计、合成具有各种特殊性质的材料一直是人们所关注的研究领域。纳米管材料(包括碳纳米管、硼氮纳米管、碳化硅纳米管等),以其独特的结构和特殊的电学、力学和热学性能引起了人们极大的研究兴趣,已经成为材料科学、物理学、化学、生物学研究的热点。纳米管材料具有很多的潜在应用价值,例如可以作为化学传感器、纳米反应器、储氢放氢材料以及未来纳米机械的组成部件等,在未来的纳米科技中将扮演重要的角色。化学修饰对纳米管材料的提纯、分离非常重要。除此之外,通过化学修饰还可以设计得到各种性质不同的新型纳米管材料。本文以分子轨道理论,过渡态理论和量子化学理论为基础,利用密度泛函理论(DFT),能带理论,对所研究的体系选择适合的基组,通过计算找出修饰过程中各物种(包括过渡态)的优化构型,进而得到修饰后的结构、能量、轨道以及电学性质等方面的有关信息,利用这些数据综合分析化学修饰对纳米管材料的影响,为设计和合成新型功能化的纳米管材料提供理论依据。全文共分七章。第一章综述了纳米管类材料化学修饰的研究进展及本文主要工作。第二章概述了本文主要研究工作的理论背景和计算方法。前两章主要概括了本文工作的理论背景和理论依据,为我们的研究提供了可靠的量子化学知识。第三章研究了茂金属(MCp2, M = Fe, Co, Ni)填充在碳纳米管内的结构、能量和电学性质。茂金属是一类有机金属,包含有大π电子。我们的研究表明茂金属的填充实际上是一个非共价的相互作用的过程,其能量和电荷转移与绝对电离势成一定的关系。对于Ip构型最佳的距离是4.70 ?,相应的管的直径为9.10 ?;对于Iv结构最佳的距离为5.10 ?,相应的管的直径为10.20 ?。能带结构和态密度计算显示,FeCp2的填充保护了碳纳米管的导电性,而CoCp2和NiCp2的填充使碳纳米管变成n-半导体。第四章研究了CH2N2和N2O在碳纳米管上的1, 3偶极环加成反应过程,并且着重考察了硼掺杂对碳纳米管反应活性的提升。硼掺杂后,CH2N2经过两种不同的反应路径,反应活性都能得到提升,反应路径Path-CBNC,1,3偶极加成反应的决速步活化能降低了0.58 eV,放热增加了大约0.80eV;反应路径Path-NBCC,1,3偶极加成反应的决速步活化能降低了0.35 eV,放热增加了大约1.30 eV。硼掺杂后,N2O与碳纳米管的反应活性也得到提升,反应路径Path-OBNC,1,3偶极加成反应的决速步活化能降低了0.61 eV,放热增加了1.56eV。我们还用前线轨道理论(FMO)解释了它们反应活性的差异。第五章研究了硼氮纳米管与氨气等离子气体的反应活性。与NH3及胺化全物修饰硼氮纳米管不同,我们发现NH2*自由基(包含在氨气等离子气体中)修饰硼氮纳米管的时候,能够形成很强的B-N键。随后H*自由基(同样也包含在氨气等离子气体中)键合到NH2-修饰的B原子附近的N原子上。我们发现其反应规律可以通过前线轨道理论进行合理的解释。能带结构和态密度(DOS)计算表明这一修饰可以很好的提高硼氮纳米管的导电性。由于N2+(同样也包含在氨气等离子气体中)的碰击,硼氮纳米管的表面将会生成一些缺陷,我们对NH2*在硼氮纳米管缺陷位置的修饰也进行了详细的研究。我们研究还发现,硼氮纳米管的手径或直径对该修饰的反应性没有太大的影响。第六章利用密度泛函理论系统地研究了一系列卡宾CR2(R= H、F、Cl、CH3、CN、NO2)在不同位置修饰硼氮纳米管的结构、能量和导电性质。当R = H、F、Cl时,修饰产物中开口产物(硼氮纳米管侧壁上的B-N键断裂)是稳定的产物,而当R= CH3、CN时,开口产物和闭合产物(合成一个类似环丙烷结构的B-N-C三元环)是一个竞争的过程。令人奇怪的是,当R = NO2时,我们发现了存在一个具有双五元环结构的产物,并且有很高的稳定性。而这种结构在碳纳米管的修饰中没有被发现过。另外,研究表明,卡宾CR2(R= H、F、Cl、CH3、CN)的修饰很难改变硼氮纳米管的导电性,而CR2(R = NO2)的修饰,由于产生了奇特的双五元环结构,这将对硼氮纳米管的导电性产生很大的影响。第七章利用密度泛函理论系统的研究了氧分子在碳化硅纳米管表面上的吸附和分解过程。研究表明,三态和单态的氧分子吸附到碳化硅纳米管表面时,都能得到各种不同的修饰产物,包括化学吸附产物和[2+2]环加成产物。与碳纳米管的情况不一样,三态氧分子的化学吸附是一个放热过程,并且有很大的电荷从管转移到了氧分子上。单态氧分子在碳化硅纳米管表面的修饰可以得到环加成的产物,这是一个强烈的放热过程,还伴随着很高的电荷转移。反应机理的研究表明,对于三态氧分子,化学吸附产物是稳定的,而对于单态氧分子,环加成产物却更加稳定。随后我们还研究了单态氧分子在碳化硅纳米管表面上的分解机理,研究表明这是一个两步的反应过程,最终两个氧原子扩散到不同的Si-C键上形成两个Si-C-O三元环结构。反应的决速步是第一步,活化能为0.40 eV。最后通过能带结构和态密度可以证明,两种自旋态的氧分子的修饰都能影响碳化硅纳米管的导电性。