【摘 要】
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该论文对SOI部分耗尽MOSFET(SOI PD-MOSFET)和SiGe沟道p-MOSFET(SiGe-MOSFET)的性能进行了研究.SOI部分耗尽MOSFET相对于体硅MOSFET而言,具有许多优点:源漏结寄生电容较小,工
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该论文对SOI部分耗尽MOSFET(SOI PD-MOSFET)和SiGe沟道p-MOSFET(SiGe-MOSFET)的性能进行了研究.SOI部分耗尽MOSFET相对于体硅MOSFET而言,具有许多优点:源漏结寄生电容较小,工作速率较快,截止漏电流小,功耗较低,短沟道特性较好,抗辐射能力较强,工艺较简单,并且消除了CMOS电路中的闩锁效应,能够构成动态阈值电压MOSFET(DTMOS)和Bi-MOS混合模式晶体管(BMHMT),进一步提高器件的工作速度和驱动能力.但是SOIPD-MOSFET中由于中性硅本体的存在,故存在寄生晶体管效应,通过把硅本体引出接一固定电位,可以有效地避免该效应.实验研究表明了在硅本体与栅极相接的情况下,由于器件阈值电压降低,并且横向寄生晶体管导通,相对于硅本体引出接地的情况有更高的驱动能力.
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