随着人类逐步进入光信息时代,对光的调控能力要求越来越高,而光调控依赖于各种不同光器件作用来实现,其结构的不同能实现不同的光调控能力,因此制备新型光器件是当前研究的热点。石墨烯作为一种新型的二维材料,具有独特的光学、电学性能,因而被广泛用于光器件的研究。然而,石墨烯被用于光器件中,其转移技术是决定了其制备的光器件性能的关键。因此提高和改善石墨烯的转移技术并探究其性能具有重要意义。本文通过化学气相沉淀法(CVD)制备出单层石墨烯,并将其转移至经过特殊制备的D型光纤上,得到新型的光调控器件并对其性能进行研究。本文首先介绍了石墨烯的常见制备方法,并对CVD法进行了改进,制备出高质量的铜基单层石墨烯;之后对石墨烯现有的转移方法进行了简单的介绍,对以PMMA为中介物的转移法进行加热退火等改进,实现石墨烯从金属基底转移至光纤上,减小了转移过程中石墨烯的褶皱和缺陷。通过对制备好的光调控器件进行了温度性能测试,得到了其在18℃到70℃的透射光功率曲线图,发现随着温度的升高,其透射光的光功率也发生改变,在18℃至46℃的变化范围内,透射光的光功率与温度之间具有一定的线性关系。通过改进,得到基于石墨烯的温度传感器;之后对其进行锁模实验,成功得到了锁模脉冲。