掺杂对氧化镓紫外探测器特性的影响研究

来源 :电子科技大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：manzhiyi

【摘要】

：

宽禁带半导体材料氧化镓(β-Ga_2O_3)具有禁带宽度较大(4.9 eV)、理化性质稳定等优势。近年来,氧化镓因其独特的性质引起了研究者的广泛关注。目前氧化镓材料已经被广泛应用于日盲紫外探测、气体检测以及功率器件等各种领域。金属-半导体-金属(MSM)结构光电探测器具有受光面积大,制备过程简单的优势,因此MSM结构被广泛应用于紫外光电探测器中。但是目前高响应度与高灵敏度的氧化镓基MSM日盲紫外探

【作者】

：

侯爽

【出处】

：

电子科技大学

【发表日期】

：

2019年12期

【关键词】

：

β-Ga2O3 分子束外延 Sn掺杂 Ga2O3-(InxGa1-x)2O3-Ga2O3三明治结构日盲紫外探测

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