随着无线电通信频带占用日益紧张，性能优良的声表面波器件正朝着高频化发展，高频声表面波“压电材料/金刚石”多层膜基片体系的研究成为研究热点。但是ZnO、LiNbO3、（002）AlN等常规压电材料的声速均低于5500m/s，与声速高达18000m/s的金刚石相结合必将引起较大的声速频散，不能理想地达到提高频率的目的。（100）AlN声速达到11354m/s，是所有压电材料中最大的，与金刚石的声速最为接近，用它与金刚石相结合可以有效地减小声速频散。故本课题开展了“（100）AlN/Diamond”多层膜结构声表面波器件基片的研制及分析。本课题采用射频磁控溅射的方法，首先在硅衬底上系统地研究了工作气压、靶基距、衬底温度、溅射功率、氩氮比等工艺条件对制备薄膜的影响。通过改变这些工艺参数在N型（100）Si片上制备了（100）面择优取向的AlN薄膜。第二，进一步研究了离位退火、原位退火以及以N₂结尾的原位退火对制备（100）AlN薄膜结晶的影响。从分子平均自由程和能量角度探讨了其对AlN压电薄膜择优取向的影响。通过XRD表征了其择优取向性，AFM观察了其表面形貌。结果表明靶基距大、工作气压高、氮氩比低、溅射功率低以及原位退火有利于生长高质量的（100）AlN薄膜。当靶基距为8cm、溅射功率75W、工作气压1.2Pa、衬底温度350℃、氮氩比8：12，且进行原位退火时最有利于AlN薄膜（100）面择优取向生长。第三，在上述优化工艺的基础上在金刚石衬底上沉积（100）AlN薄膜。本课题的创新工作如下：1.高声速的（100）AlN压电材料与金刚石构成SAW多层膜基片可以减小声速频散，从而实现高频器件的需求。2.使用超高真空射频磁控溅射的方法，首次通过原位退火以及以N₂结尾的原位退火来提高AlN（100）取向的峰值并减小表面粗糙度。