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本论文先后综述了宽禁带半导体SiC和ZnO的性质、材料制备以及器件方面的研究。介绍了我们采用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au研制出的SiC肖特基紫外光电探测器。并对基于Si衬底的Au-ZnO-AuUV增强光电探测器进行了测量分析，器件在200nm到400nm的之间有灵敏的光电响应，在370nm附近时有一个响应的峰值停留，同时保留了Si在400nm以上波长的光谱响应；测试得到的I-V特性符合肖特基接触的反向特性曲线；电容在OV附近具有最大值，随着正反向电压增大电容值呈对称性快速减小。研究表明，该结构的UV增强光电探测器可采用微电子Si平面工艺和外延薄膜工艺相结合，具有广泛的生产和应用前景。