染料/无机半导体共敏化TiO2纳米管阵列光电性能研究

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电化学阳极氧法合成的TiO2纳米管阵列半导体材料拥有如下优点:表面形貌有序度高、比表面积大和易被吸附。本文选择锐钛矿晶型结构TiO2纳米管阵列的半导体材料做光化学光伏电池的光阳极,由于TiO2的禁带宽度为3.2eV,仅能吸收紫外光部分,光电转化性能方面表现不好,因此考虑在纳米管阵列表面复合无机敏化剂和染料敏化剂来增强光阳极光电性能。In2S3,是Ⅲ-Ⅵ族化合物,在室温下能以B相稳定存在,β-In2S3是一种禁带大约为2eV左右的n型窄带隙半导体材料。采用连续离子层吸附与反应法,在TiO2纳米管阵列半
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