【摘 要】
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该文利用微波离子体化不气相沉积方法(MW-PCVD)在单晶硅衬底上制备金刚石薄膜,并且研究了其场致电子发射特性.较系统地研究了甲烷浓度、衬底温度等因素对金刚石膜生长特性及
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该文利用微波离子体化不气相沉积方法(MW-PCVD)在单晶硅衬底上制备金刚石薄膜,并且研究了其场致电子发射特性.较系统地研究了甲烷浓度、衬底温度等因素对金刚石膜生长特性及薄膜品质的影响.研究了表面形貌、膜厚、杂质相、表面处理等对金刚石膜场发射特性的影响.在硅微尖上沉积金刚石膜,尝试制备了金刚石薄膜阵列.
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