SiC陶瓷与金属Ta的活性法连接

来源 :北京有色金属研究总院 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wildboar2009
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碳化硅(SiC)陶瓷具有优异的高温性能,在1600℃以上仍保持着有较高的强度和刚性,同时又具有抗磨损、耐腐蚀、抗热震、耐高温蠕变、自润滑等特点,但陶瓷材料韧性差、强度分散、加工困难等缺点,限制了它的应用范围.钛合金重量轻、比强高是优秀的航空航天结构材料,尽管其工作温度范围较宽,但仍不能超过600℃.如二者结合起来充分发挥其优势,将是一种十分优异的复合材料,必将扩展其应用领域.在陶瓷与金属钎接方法中,活性金属法具有适用面广、连接结合强度高、抗热冲击、性能可靠、工艺简单等优点.该方法能够连接的陶瓷除传统的氧化物陶瓷外,几乎包括了所有的新发展的陶瓷.采用活性法连接SiC与钛合金是一种当然选择. 对于陶瓷金属连接结构,采用塑性好、屈服强度低的软金属作为过渡层,残余应力可通过金属的塑性变形而得到缓解.在金属中Fe、Cu、Ni、Nb等金属的塑性较好,其中以铜和纯铁的应力缓解作用最显著.软金属作为应力缓解材料存在着最佳应力缓解厚度,这是应力缓解金属塑性变形缓解应力和收缩量增大残余应力增加共同作用的结果.对于SiC-Ta连接试样以铜或纯铁作为缓解材料,其最佳厚度约0.2mm.
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