【摘 要】
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长余辉光致发光材料在节能、环保、安全防护以及其它工业民用领域,有着极为广阔的应用前景.该论文从材料的合成方法、掺杂稀土离子的种类、掺杂量、长余辉发光材料的理论设计
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长余辉光致发光材料在节能、环保、安全防护以及其它工业民用领域,有着极为广阔的应用前景.该论文从材料的合成方法、掺杂稀土离子的种类、掺杂量、长余辉发光材料的理论设计、长余辉发光材料的缺陷复合发光动力学模型以及寻求新的发光基质等方面进行了大量的研究工作,并做了较为系统的分析.合成了新型R<,2>MgSi<,2>O<,7>:Eu,Dy、R<,3>MgSi<,2>O<,8>:Eu,Dy(R:Ca、Sr、Ba)长余辉磷光体发光材料.发射光谱结果表明Ca<,2>MgSi<,2>O<,7>:Eu,Dy、Sr<,2>MgSi<,2>O<,7>:Eu,Dy、Ba<,2>MgSi<,2>O<,7>:Eu,Dy的发射峰分别位于534nm、476nm和500nm.余辉衰减曲线表明,R<,2>MgSi<,2>O<,7>基磷光体材料的发光性能呈Sr<,2>MgSi<,2>O<,7>:Eu,Dy>Ca<,2>MgSi<,2>O<,7>:Eu,Dy>Ba<,2>MgSi<,2>O<,7>:Eu,Dy趋势.根据Van Uitert经验公式,对于Ca<,3>MgSi<,2>O<,8>基发光材料中Eu<2+>离子的发射峰位,进行了理论计算,发现Eu离子占据配位数为8的Ca格位,与实验观察到的峰位基本一致.
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