电针改善VD模型大鼠学习记忆能力及对SCN clock,Bmal1,海马CA1 ERK基因表达的影响

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目的:此研究以运用电针作为治疗手段,从大鼠学习记忆能力改善的行为学变化,进一步到以生物钟基因对ERK的调控作用作为切入点,分析电针对VD大鼠的治疗作用,电针治疗VD的可能的机制,为电针治疗VD的临床应用提供更为充分和可靠的科学依据。方法:1.采用Morris水迷宫测试作为研究手段,研究运用电针刺激2-VO法制作慢性脑缺血所致的VD模型大鼠的百会穴以及神门穴对其学习记忆能力的影响,及其与喜得镇阳性药、模型对照组以及假手术组之间的差异。2.本部分研究以VD模型大鼠作为研究对象,采用实时荧光定量PCR技术,检测模型大鼠使用电针治疗后的SCN clock, Bmall基因以及海马CA1ERK基因相对表达量与喜得镇阳性药、假手术组以及模型对照组的差异。结果:1.VD模型大鼠morris水迷宫行为学检测结果显示阳性药、电针组d4,d5定位航行潜伏期同模型组相比均有统计学差异;假手术组同模型组比较d4为P<0.05,d5无统计学差异。空间探索测分析显示,电针组(P<0.01)、喜得镇阳性药组(P<0.05)以及假手术组(P<0.01)同模型组均相比在三象限进入次数中出现统计学差异。2.定量PCR电泳结果显示SCN clock、Bmall及海马CA1ERK基因PCR产物只存在有特异性的单一条带,且大小符合预期结果;优化了各基因反应条件,获得了最佳反应的条件以及体系;3.电针刺激百会,神门穴可升高大鼠SCN中clock基因的表达(P<0.05);并对SCN Bmall基因、海马CA1ERK1以及ERK2基因表达有改善趋势.结论:1.空间探索指标中,电针和阳性药组均出现了改善趋势。可见电针对由缺血造成的VD模型大鼠的学习记忆能力下降有显著改善作用,也为由缺血所导致的学习记忆能力下降的VD病人的针灸临床治疗选取提供了一定的参考。2.电针组在各项指标中,SCN clock、Bmall及海马CA1ERK基因均表现出了同治疗组以及假手术组相同的改善趋势。虽然mRNA的表达后距离其调控作用发挥机制起效仍有一定的过程,但使用实时荧光定量PCR检测相应基因表达的确可以精确反映出VD大鼠的病理变化以及电针对VD大鼠的治疗作用。
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