作为未来有机电路关键元件的有机场效应晶体管(OFETs)具有易于制备，质轻，价廉，柔韧性好，弹性好和与柔性衬底良好的相容性等优点，在射频标签，柔性显示，电子纸和大面积传感器等领域有着巨大的应用前景，引起了研究者们的极大关注，成为研究的热点。本论文主要在半导体材料和OFETs器件的制备方面开展了研究，主要研究内容及成果总结如下：　　 1.研究了有机半导体材料2-芘氧-4,4,5,5-四甲基咪唑啉-1-氧自由基的电化学和光物理性质，磁性测试表明分子间存在反铁磁相互作用，在固态时分子以头对头的方式排列；通过XRD表征得知该化合物蒸镀的膜为无定型态，SEM结果表明该化合物的膜连续性非常好；将该化合物用于制备OFETs，器件的迁移率约为0.1 cm2/V s，开关比为5×104,器件较低的阈值电压(-0.6 V)和亚阈值斜率(540 mV/decade)，可以使器件在较低的电压下工作。　　 2.研究了一类新型的共轭桥联聚合物半导体PT-VTVTV2和PT-VTVTV4的光物理性质，电化学性质和热性质；用AFM研究了该聚合物膜的形貌，用XRD研究了该膜的结晶性能;将该化合物用作OFETs的半导体层，器件显示出良好的OFETs性能，迁移率高达3.8×10-3 cm2/V s，开关比为104，阈值电压为24 V。　　 3.采用20 nm厚的聚乙烯咔唑(PVK)作为缓冲层，修饰SiO2/并五苯界面，研究了缓冲层对器件性能的影响。结果发现PVK缓冲层有利于并五苯分子在缓冲层上形成枝状结晶;同时可以改善并五苯分子与介电层间的界面，从而提高器件的性能，迁移率高达0.5 cm2/V s，开关比为107。由于PVK可以存储电荷，可以使器件的夹断电压降低(绝对值小于20 V)；可以通过改变起始栅压，改变PVK中存储电荷的数量，将器件的阈值电压控制在1～-29 V。　　 4.经过热处理交联的聚乙烯醇(PVA)在厚度约80 nm时，PVA膜的漏电流控制在小于10-6A/cm2，在频率为1 kHz时，该膜的电容约为54 nF/cm2，利用该膜作为介电层，器件可以在1 V电压下工作，CuPc器件的迁移率高达0.05 cm2/V s，阈值电压为-0.14 V。　　 5.PVA和LiF复合所得膜在厚度为40 nm时，漏电流约为10-6 A/cm2，其电容高达160 nF/cm2，作为有机场效应晶体管的介电层的CuPc基OFETs可以在2 V下工作，输出电流比80 nm厚的PVA膜作介电层的OFETs大，迁移率高达0.03 cm2/Vs，阈值电压为0.57V。