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目的：研究新型的以二氯代环二聚体(parylene C)为基底的平面铂微电极阵列芯片(microelectrode array, MEA)和以parylene C为基底的三维铂MEA芯片在兔脉络膜上腔的组织相容性；这两种微电极芯片兔眼脉络膜上腔植入术的手术情况；及这两种芯片于脉络膜上腔跨视网膜电刺激(suprachoroidal transretinal stimulation, STS)诱发电诱发电位(electrical evoked potential, EEP)的阂值。方法：第一部分：研制了以parylene C为基底的平面铂MEA芯片和以parylene C为基底的三维铂MEA芯片。12只健康成年青紫兰兔,随机分成A组、B两组,A组植入以parylene C为基底的平面铂MEA芯片；B组植入以paryleneC为基底的三维铂MEA芯片。所有青紫兰兔均以左眼为手术眼,于鼻下方角膜缘后6mm处切开巩膜暴露脉络膜,将微电极阵列放置于兔眼后极部脉络膜上腔,术后3 d、14 d、1个月、3个月观察芯片位置,OCT扫描研究植入术后微电极阵列芯片与视网膜、脉络膜的关系,并分析手术并发症情况,3个月进行组织学检测。第二部分：18只健康成年青紫兰兔,随机分成A、B两组,A组植入以parylene C为基底的平面铂MEA芯片；B组植入以parylene C为基底的三维铂MEA芯片。将多通道刺激电极芯片放置于兔眼后极部的脉络膜上腔,将铂丝制成的参比电极放置于玻璃体腔,视皮质区硬膜外放置记录电极。先记录视觉诱发电位,之后刺激电极采用双向刺激的方式发出电刺激,在中枢记录电诱发电位。测量产生电诱发法电位的阈值,连续记录30次取其平均值。实验结束后处死动物取出眼球行组织学检查。结果：第一部分：12只眼都成功的植入MEA芯片。A组术中1只眼(8.3%)切开巩膜时损伤脉络膜,视网膜也随之破裂,少量玻璃体流出,缝合巩膜切口,在其切口鼻侧重新植入芯片。A组5只眼(41.6%)、B组3只眼(25.0%)在术中切开巩膜时损伤脉络膜血管,发生少量脉络膜出血,待出血停止后再清除凝血继续手术,两组均有2只眼(16.7%)在芯片植入后手术显微镜下用角膜接触镜观察时发现芯片前端折叠,取出芯片展平后重新植入,可见芯片位于脉络膜大血管下,芯片平整。植入后眼底、OCT检查见芯片平整位于脉络膜上腔；组织学检查未见明显的组织病理改变。第二部分：头部电极植入及脉络膜上腔MEA芯片植入术后,光刺激可以记录到光诱发电位(visual evoked potential, VEP);当脉络膜上腔刺激电极发出电刺激后,可以在硬脑膜外的记录电极处记录到电诱发电位(electrical evoked potential, EEP),A组兔的VEP振幅为169±58μV,潜伏期为22.3±1.4 ms(图2A)；B组兔的VEP振幅为176±53μV,潜伏期为24.5±1.9 ms,二者振幅和潜伏期无统计学差异(P>0.05)。在双向刺激电流的作用下,两组MEA电刺激都可以产生EEP,典型的图像早期为连续的负波,之后是正向波。经测量A组产生EEP的电量阈值平均值为143.3±27.84 nC,最大值200nC,最小值120nC；电荷密度阈值的平均值为91.29±17.73μC cm-2,最大值为127.39μC cm-2,最小值为76.43μC cm-2。B组的电量阈值为86.67±18.03 nC,最大值120nC,最小值70nC；电荷密度阈值的平均值为55.20±11.48μC cm-2,最大值为76.43μC cm-2,最小值为44.59μC cm-2。A组与B组的电荷密度阈值具有统计学差异(t=5.12,P<0.05)。结论：兔眼脉络膜上腔微电极阵列芯片植入术是一种安全有效的植入方式,脉络膜上腔是理想视网膜刺激电极位置。以parylene C为基底的铂MEA芯片组织相容性良好,是理想的人工视网膜假体。以parylene C为基底的铂MEA芯片于脉络膜上腔可以有效地行跨视网膜电刺激,并且可以在兔视皮质区检测到电诱发电位；三维电极相对于平面电极行电刺激的阈值更小。