功率半导体器件是构成电力电子变换装置的重要器件。击穿电压和导通电阻是功率半导体器件的关键指标，而导通电阻和击穿电压是一对矛盾体。传统VDMOS导通电阻与击穿电压的2.5次方呈比例关系，超结VDMOS的漂移区由重掺杂的n型柱区和p型柱区所构成，所以它的导通电阻与击穿电压呈线性关系，比传统MOSFET的导通电阻降低了五分之一到二分之一。600V系列的超结VDMOS在电源适配器、照明等方面的应用更为广泛。　　 本文以设计600V超结VDMOS为目的，首先分析了超结结构耐压的基本原理，证明了在反向电压偏置时，超结结构的纵向电场呈矩形分布，与传统结构的三角形纵向电场分布相比具有更高的击穿电压。然后研究了电荷不平衡对击穿电压的影响，研究发现n型柱区与p型柱区的浓度或宽度不相等会使击穿电压下降，而且浓度越高，宽度越窄，击穿电压下降越明显。借助Sentaurus的Sdevice研究了超结结构的峰值电场，结果表明超结结构的最大峰值电场出现在n+p结或p+n结的位置。随后借助 Tsuprem-4和Medici优化了超结VDMOS的漂移区和p-body的工艺参数。最后利用泊松方程研究了超结VDMOS的终端技术，提出了多级场板和浮空场板的终端结构，对于特殊的六角形品格终端技术，采用了终端六角形晶格宽度为有源区晶格宽度一半的终端结构。　　 经过 Tsuprem-4.和Medici仿真，超结VDMOS的击穿电压为650V，导通电阻为36mΩ·c㎡，符合器件的设计指标。