【摘 要】
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ZnO基薄膜作为ITO薄膜最有可能的替代材料之一,得到了广泛关注。不同于常用的金属或氧化物靶材,本论文以Zn/ZnO、Zn/ZnO/ZnF2混合物以及表面粘贴A1片的Zn/ZnO混合物(Al@Zn/ZnO)为靶材,在基底温度(Ts)为150和300℃C,溅射气氛为Ar+O_2和Ar+H_2下反应溅射制备ZnO、F掺杂ZnO(FZO)和A1掺杂ZnO(AZO)薄膜。通过干涉显微镜、XRD、Hall效
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ZnO基薄膜作为ITO薄膜最有可能的替代材料之一,得到了广泛关注。不同于常用的金属或氧化物靶材,本论文以Zn/ZnO、Zn/ZnO/ZnF2混合物以及表面粘贴A1片的Zn/ZnO混合物(Al@Zn/ZnO)为靶材,在基底温度(Ts)为150和300℃C,溅射气氛为Ar+O_2和Ar+H_2下反应溅射制备ZnO、F掺杂ZnO(FZO)和A1掺杂ZnO(AZO)薄膜。通过干涉显微镜、XRD、Hall效应测试仪、紫外-可见分光光度计研究了 Ts以及02和H_2流量对薄膜结构及透明导电性能的影响。研究结果表
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