紫外光探测和能量存储一直是光、电领域的重点研究课题，本文以GaN和SnO₂为出发点，分别进行了这两种材料一维纳米结构的制备、结构形貌分析、光电特性研究等的工作。本文主要结果如下：1、采用化学气相沉积法在镀Au的p-n GaN薄膜上制备了斜生长的GaN纳米线，分析了其生长机理，并研究了反应过程中压强、衬底距源的位置对产物形貌的影响。2、对GaN纳米线/GaN薄膜进行了紫外探测性能研究，在零偏压下，对365nm紫外光有着非常强的光电相应，开关比达到1800倍，比没有生长GaN纳米线的GaN薄膜高出20倍。并分析了紫外探测的响应机制。3、采用化学气相法首次合成SnO₂包覆定向MWCNTs的复合材料，通过X射线衍射（XRD），场发射扫描显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）等对复合材料的结构和形貌进行了研究，所得样品非常整齐的垂直于衬底向上，非常均匀，直径为100²00nm。每根碳管都包覆的比较一致。4、通过循环伏安等手段对所得材料进行了电学方面的研究，结果表明包覆SnO₂后所形成的复合电极的循环伏安曲线出现了非常明显的氧化还原峰。通过比较发现，包覆SnO₂后的复合电极容量有较大增加。5、研究了不同电解质对复合电极循环伏安特性的影响，结果表明复合电极在0.5M/L Na2SO4电解液中电容表现优于在1M/L H2SO4电解液中。