离子电子学是一个通过离子迁移和重排控制电子特性的交叉学科领域,它覆盖了电化学、电子工程和生物科学等诸多研究领域,从而具有巨大的研究价值。本文选择具有丰富晶体结构和性质的MoO₃材料和常见的铁磁金属Co材料为研究对象,构建了离子液体门电压和紫外光照射MoO₃和Co基器件,通过光、电两种方式调控了它们的光学、电学和磁学性质,并探究了相关机制。（1）光、电调控MoO₃薄膜的性质。初始态时,MoO₃薄膜无色透明,电阻达10¹¹Ω,Mo以+6价的形式存在;紫外光照射或者正的质子型离子液体门电压调控之后,薄膜变为深蓝色,透光率减小,电阻降低了6个数量级,仅约为10⁵Ω,Mo以+5价和+6价的混合价态存在。因此,紫外光照射和离子液体门电压均有效调控了MoO₃薄膜的光学和电学性质,究其原因均与H⁺注入MoO₃薄膜导致部分Mo离子价态下降、形成H_xMoO₃有关。（2）电调控Co薄膜的磁性。初始态的Co薄膜具有较强的铁磁性,在施加-3 V的离子液体门电压调控2 h后,Co薄膜的饱和磁化强度迅速减小,铁磁性发生由“开”到“关”的转变,撤去电压后小的饱和磁化强度仍可保持;加反向正的门电压则可以使Co薄膜的饱和磁化强度恢复到初始态。因此,具有非易失性、稳定性和可逆性的特点。通过分析施加不同极性门电压情况下的Co化学状态的变化,发现电控Co磁性的“开”、“关”性可能与O^2-离子在不同极性门电压的作用下在薄膜中来回迁移导致Co的氧化、还原有关。（3）电控Co/MoO₃薄膜的磁性。在施加正的质子型离子液体门电压作用下,Co/MoO₃薄膜的饱和磁化强度值减弱,较厚的Co层比薄的Co层诱导效应更明显。通过XPS测试并结合相关文献分析,其饱和磁化强度值的减弱可能与质子型离子液体门电压作用下H⁺注入后与Co表层的氧化层反应生成H₂O,进而将金属Co层氧化有关。总之,本文构建了离子液体门电压和紫外光照射MoO₃、Co以及Co/MoO₃器件,通过光和电的方式有效调控了MoO₃和Co的光学、电学和磁学性质,其内在机制均与H⁺或O^2-离子在薄膜中的插入或抽出引起的电化学反应有关。该研究可以为未来设计光电一体的智能化存储器、模拟神经突触行为和神经形态视觉传感,开发具有低功耗的类神经突触晶体管等提供思路和参考。