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N02是一种危害性极大的污染气体,对N02进行检测监控显得尤为迫切。半导体气体传感器因其成本低廉、灵敏度高、响应速度快等优点,使其成为使用最广泛使用的气体传感器。但也存在不可忽视的缺点,例如：工作温度高,气敏性能不稳定等。采用单晶异质结纳米材料,来提高和优化气体传感器性能是当下的研究方向之一。InAs是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,具有高载流子迁移率、丰富的表面态以及窄带隙等优异特性。垂直生长的InAs纳米线阵列在室温下可以探测到100 ppb的N02气体。另外,在InAs纳米线表面生长覆盖InP包