【摘 要】
：
该论文研究SiGe CMOS的结构以及SOI衬底上的SiGe CMOS结构,并流水试制.我们分析了各种结构的SiGeMOSFET,并且研究了实现SiGe CMOS的多种可能方式,最后设计出我们自己的SiGe C
论文部分内容阅读
该论文研究SiGe CMOS的结构以及SOI衬底上的SiGe CMOS结构,并流水试制.我们分析了各种结构的SiGeMOSFET,并且研究了实现SiGe CMOS的多种可能方式,最后设计出我们自己的SiGe CMOS和SOI/SiGe CMOS,并用Silvaco对其进行了器件的性能模拟.利用HV/CVD生长设备,按照我们设计的结构来生长SiGe材料,并对SiGe材料进行一些分析,如Raman谱分析、透射电镜测试(TEM)和原子力显微镜测试(AFM).我们试制了830C结构的PMOSFET,并得到了性能优越的830C PMSOFET.测试结果表明,830C的饱和区跨导比相应的体硅PM0SFET提高近两倍,迁移率提高了约40﹪.我们还试制了SOI/SiGe CMOS,并得到一些有意的结果.
其他文献
首先,该文扼要分析了G.723.1语音编码算法原理和TMS320VC5409-100定点DSP芯片的基本对及特征;然后,详细讨论了在TMS320VC5409-100实时实现G.723.1语音编码算法的软硬件设计及
人类生活离不开通讯,而电离层是卫星通讯的必经信道,又是天波通讯的反射镜。由于电离层结构本身的不稳定性导致通讯质量和全球定位系统GPS的导航定位精度的下降,给人类生产与
该研究以GaN基材料的结构特性为主要研究内容,利用X射线衍射技术分析了GaN及其合金外延层的基本结构特性,进而建立了定量的评价体系,并探索了结构特性参数与外延工艺、光电特
该文对(111)晶向Si衬底上GaN外延层的生长和Si基GaN紫外探测器进行了系统的研究,在材料生长和器悠扬的研制上都取得了一些有意义的结果.
跨损伤合成(TLS)聚合酶Polη是Y家族的一员，Polη能跨过UV引起的环丁烷嘧啶二聚体(CPD)损伤，缺失Polη会导致着色性干皮病（XPV），此类病人有更高的癌症倾向，患皮肤癌的几率明显增加
In this paper, a new method, so called A-method, is given for the convergence analysis of the MQ-algorithm. And the finer relaxation parameter θA is obtained.
目前先进的太空观测平台上都是使用精细导星传感器(Fine Guidance Sensor,FGS)作为精密稳像系统中必不可少的高精度传感环节,为其提供高质量的姿态信息。FGS的基本原理是通过
景伟编赵朴初是杰出的爱国宗教领袖,著名的社会活动家、佛学家、作家、诗人和书法家。尽管他生前从不以书法家自居,但是他的书法以其雍容简静、俊朗神秀的艺术风格深受人们喜
该论文的研究对象是数据传输系统中的相位调制解调器,论文的主要工作是为相位调制解调器建立行为级模型.论文的研究工作是在熟悉建模语言与仿真环境的基础上,根据相位调制解