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再结晶碳化硅（RSiC）材料具有优异的高温力学、抗蠕变、耐腐蚀、导热等性能，且1400℃以上的强度比室温强度增加2030%，同时其体积电阻率在10-2102Ω·cm之间可调，是一种典型的功能结构一体化材料。但RSiC的三维连通孔结构和较高的开口气孔率降低了材料的力学和高温抗氧化性能，缩短了使用寿命。二硅化钼（MoSi2）材料具有熔点高，密度适中，热膨胀系数较低，电热传导性良好，高温抗氧化性能优异等优点。但其低温脆性大，高温抗蠕变性较差，限制其在某些工况条件下的应用。本论文以RSiC为基体，通过酚醛树脂（PF）浸渍-裂解（PIP）和MoSi2-Si-X（X=Ti、Cr、Al）合金活化熔渗（AAMI）复合工艺将RSiC和MoSi2材料的优异性能有机结合，制备高温抗氧化和力学性能优异、电热性能可调控的功能结构一体化MoSi2-RSiC复合材料。主要研究了PIP工艺中前驱体浓度对RSiC基体结构及熔渗后MoSi2-RSiC复合材料组成、力学和导电性能的影响；AAMI工艺中熔渗相的组成、熔渗温度对MoSi2-RSiC复合材料力学、高温抗氧化和导电性能的影响，并探讨了复合材料的高温抗氧化和导电机理。结论如下：（1）采用PIP-AAMI复合工艺可获得具有三维互穿网络结构的致密MoSi2-RSiC复合材料。其中1900℃熔渗所得复合材料比1800℃熔渗所得复合材料具有更高的体积密度和更低的开口气孔率；1900℃熔渗MoSi2-Si-Ti、MoSi2-Si-Cr体系所得复合材料的力学性能优于1800℃熔渗所得复合材料，而MoSi2-Si-Al体系实验结果则相反，1800℃熔渗MoSi2-Si-Al所得复合材料的抗弯度为171.40MPa，比基体RSiC材料提高了107.63%，而1900℃熔渗该体系所得复合材料的体积电阻率为2.90mΩ·cm，显著低于RSiC材料；相同温度下熔渗MoSi2-Si-Al的复合材料比熔渗MoSi2-Si-Ti和MoSi2-Si-Cr的复合材料体积电阻率小12个数量级；（2） PF浸渍-裂解-1900℃熔渗MoSi2-Si-Ti所得复合材料在1500℃循环氧化100h的氧化产物为SiO2和TiO2，部分不定型SiO2随着氧化时间的延长转变成方石英相SiO2。RSiC、MoSi2和MoSi2-RSiC复合材料单位面积氧化增重与氧化时间的关系均遵循抛物线规律。PF浸渍-裂解-MoSi2-Si-Ti活化熔渗所得复合材料的氧化速率常数(0.05mg2·cm-4·h-1)小于RSiC(0.55mg2·cm-4·h-1)和MoSi2(0.16mg2·cm-4·h-1)材料。（3）通过在PF中加入不同含量的纳米炭黑，可制备具有不同C含量的C/RSiC基体，进而在1900℃熔渗MoSi2-Si-Ti所得复合材料的组成和性能存在差异。残炭率为3%的复合材料具有更低的开口气孔率（0.48%）和更高的体积密度（3.30g·cm-3），同时具有更高的抗弯强度（113.49MPa）与更低的体积电阻率（57.63mΩ·cm）。