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透明导电薄膜(ITO)作为一种独特的光电功能材料,兼具了较高的可见光透过性和良好的导电性能,受到人们的青睐。由王其优异的光电特性,使其在太阳能电池、气体传感器、液晶显示等领域得到了广泛应用。随着相关领域在光电转换、发光亮度等方面进一步的深入研究和开发,对系统组成部分(包括ITO)提出了更加苛刻的要求。例如,ITO薄膜层作为新一代显示器件OLED的射出面并担负透明阳极材料,其性能优劣直接关系到OLED器件的性能。而OLED用ITO除了高标准的光电性能要求,对OLED器件起关键作用的粗糙度方面更需要严格控制。围绕制备这种高要求的ITO薄膜,本文计划分为两大步完成这个目标：一、对影响ITO薄膜的几个重要工艺参数：氧氩比、溅射压强、温度、功率进行探讨优化,找到制备ITO的最优制备条件。二、在最优条件下,使用该实验室自主研发的能量过滤磁控溅射(EFDMS)技术进行进一步的研发制备。本论文主要结论如下：对氧氩比、溅射压强、温度、功率几个工艺参数进行了探讨优化,找出了制备符合要求的ITO透明导电薄膜的最优参数区间。分别为：在Ar流量保持44sccm的情况下,控制02流量在0.6sccm左右时,透过率可达85%以上并可保证较低的电阻率,此时制备出的ITO薄膜有较强的衍射峰。对于溅射压强,取0.%0.9pa,可制备出有高透过率、低电阻的ITO薄膜。温度选定范围为75℃-375℃,实验表明375℃条件下制备的ITO薄膜光电性能最为优越。并且SEM表征,375℃条件下制备的ITO薄膜消除了凹坑等晶界缺陷,晶体结构更加有序,表面更加平整。功率提供沉积粒子能量促使晶粒的长大,但在平行方向受到其它晶粒和基片的抑制,最终导致晶粒柱状生长,形成尖峰,从而增大了表面粗糙度。因此,尽可能的降低功率可制备出高性能、低粗糙度的ITO薄膜。使用EFDMS技术制备可对制备的ITO透明导电薄膜进行进一步的优化。而就有着直接影响的网栅的网孔大小进行研究,得出600目网栅制备的ITO薄膜晶粒更加细小,表面更加平整。但EFDMS技术降低了沉积速率,于是采用EFDMS技术在常规磁控溅射(DMS)技术基础上加镀第二层ITO制备双层ITO薄膜,这样可以提高ITO薄膜粗糙度和沉积速率的同时,又不影响其光电性能,从而节约了靶材。实验比较了90+20、95+15、100+10(nm)三种组合和DMS、EFDMS技术所制备ITO样品的薄膜形貌、晶粒大小、光电性能。结果表明：在总厚度保持110nm, EFDMS技术沉积厚度为20nm时,即90+20组合双层ITO薄膜粗糙度可降低到1.259nm,同时其光学透射率达到90%,电阻率也只有2.454×10-4Ω·cm。